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    高速SOI芯片光電探測器陣列

    簡要描述:高速SOI芯片光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

    • 產品型號:ZG
    • 廠商性質:生產廠家
    • 更新時間:2024-12-27
    • 訪  問  量:1124

    詳細介紹

    品牌梓冠

    SOI芯片光電探測器陣列

    SOI Chip-based Photodetector Array

    SOI芯片式光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。

    Chip-based multi-channel photodetector array is a product based on Ge-Si SOI platform. This product achieved the integration of multi-channel photodetectors on a single SOI chip. The MMI-based optical hybrider/mixer could also be integrated on the chip. It is capable of tiny polarization sensitivity and large electrical bandwidth. Both the die products and chip package solutions are provided.


    〖性能指標Specifications〗


    參數指標

    Parameters

    單位

    Unit

    最小值

    Min.

    典型值

    Typ.

    最大值

    Max.

    備注

    Notes

    波長范圍

    Wavelength range

    nm

    1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

    暗電流

    Dark current

    nA

    35


    50


    3 dB模擬帶寬

    3 dB bandwidth

    GHz



    28


    光飽和功率

    Optical saturation power

    mW

    10




    響應度

    Responsibility

    A/W

    0.8


    0.85


    90度光學混頻器損耗

    90°mixer loss

    dB

    6

    6.5

    6.7


    90度光學混頻器相位失衡度

    90°mixer phase unbalance

    °

    5




    通道數

    Number of channels


    8或可定制

    8 or Can be customized


    光纖接入損耗

    Insertion loss

    dB

    ≤0.5


    偏振相關損耗

    PDL

    dB

    ≤0.3


    工作溫度范圍

    Operating temperature range

    °C

    -20


    50


    工作濕度范圍

    Operating humidity range

    %



    +65


    芯片尺寸

    Chip Dimensions

    mm

    4(L)×5(W)×0.5(H)




    高速SOI芯片光電探測器陣列

    高速SOI芯片光電探測器陣列


     

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